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资深工程师电源设计策略:如何避免传导EMI问题

时间:2024-05-13 00:55编辑:admin来源:28880皇冠手机版当前位置:主页 > 28880皇冠手机版花语大全 > 其他花语 >
本文摘要:(作者:BrianKing) 大部分传导EMI问题都是由共模噪声引发的。而且,大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容造成的。 我们侧重辩论当寄生电容必要耦合到电源输出电线时会再次发生的情况 1.只需几fF的杂散电容就不会造成EMI扫瞄告终。 从本质上谈,开关电源具备获取低dV/dt的节点。寄生电容与低dV/dt的混合不会产生EMI问题。 在寄生电容的另一端相连至电源输出端时,不会有少量电流必要泵送至电源线。 2.查阅电源中的寄生电容。

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(作者:BrianKing)  大部分传导EMI问题都是由共模噪声引发的。而且,大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容造成的。  我们侧重辩论当寄生电容必要耦合到电源输出电线时会再次发生的情况  1.只需几fF的杂散电容就不会造成EMI扫瞄告终。

从本质上谈,开关电源具备获取低dV/dt的节点。寄生电容与低dV/dt的混合不会产生EMI问题。

在寄生电容的另一端相连至电源输出端时,不会有少量电流必要泵送至电源线。  2.查阅电源中的寄生电容。

我们都忘记物理课上谈过,两个导体之间的电容与导体表面积成正比,与二者之间的距离成反比。查阅电路中的每个节点,并特别注意具备低dV/dt的节点。看看电路布局中该节点的表面积是多少,节点距离电路板输出线路有多近。

电源MOSFET的漏极和缓冲器电路是少见的罪魁祸首。  3.增大表面面积有技巧。试着尽可能用于表面贴装PCB。

使用直立式TO-220PCB的FET具备很大的漏极选项卡(draintab)表面面积,惜的是它一般来说碰巧是具备最低dV/dt的节点。尝试用于表面贴装DPAK或D2PAKFET代替。

在DPAK选项卡下面的低层PCB上放置一个初级短路面板,就可较好遮挡FET的底部,从而可贞着增加寄生电容。  有时候表面面积必须用作风扇。如果您必需用于带上散热片的TO-220类FET,尝试将散热片相连至初级短路(而不是大地短路)。

这样不仅有助遮挡FET,而且还有助增加杂散电容。  4.让开关节点与输出相连之间拉开距离。闻图1中的设计实例,其中我忽略了这个非常简单原则。  图1.让输出布线与具备低dV/dt的节点靠得过于将近不会减少传导EMI。

  我通过非常简单调整电路板(无电路变化),将噪声减少了约6dB。闻图2和图3的测量结果。在有些情况下,相似低dV/dt展开输出线路布线甚至还可击怕共模线圈(CMC)。  图2.从电路板布局展开EMI扫瞄,其中AC输出与开关电路距离较将近  图3.从电路板布局展开EMI扫瞄,其中AC输出与开关电路之间距离较小  您否有过在显著强化输出滤波器后EMI提高效果较小甚至没提高的这种遭遇?这很有可能是因为有一些来自某个低dV/dt节点的杂散电容必要耦合到输出线路,有效地跨过了您的CMC。

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为了检测这种情况,可临时短路PCB上CMC的绕组,并将一个二级CMC与电路板的输出电线串联。如果有明显改善,您必须新的布局电路板,并十分留意输出相连的布局与布线。


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